靶材的分類有哪些 靶材的性能和指標
一、靶材的分類有哪些
1、根據(jù)不同材質(zhì)劃分
（1）金屬靶材
鎳靶Ni、鈦靶Ti、鋅靶Zn、鉻靶Cr、鎂靶Mg、鈮靶Nb、錫靶Sn、鋁靶Al、銦靶In、鐵靶Fe、鋯鋁靶ZrAl、鈦鋁靶TiAl、鋯靶Zr、鋁硅靶AlSi、硅靶Si、銅靶Cu、鉭靶Ta、鍺靶Ge、銀靶Ag、鈷靶Co、金靶Au、釓靶Gd、鑭靶La、釔靶Y、鈰靶Ce、不銹鋼靶、鎳鉻靶NiCr、鉿靶Hf、鉬靶Mo、鐵鎳靶FeNi、鎢靶W等。
（2）陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶、二氧化鉿靶、二硼化鈦靶、二硼化鋯靶、三氧化鎢靶、三氧化二鋁靶、五氧化二鉭靶、五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶、氮化硅靶、氮化硼靶、碳化硅靶、鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
（3）合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。
2、根據(jù)不同應用方向劃分
（1）半導體關聯(lián)靶材
電極、布線薄膜：鋁靶材，銅靶材，金靶材，銀靶材，鈀靶材，鉑靶材，鋁硅合金靶材，鋁硅銅合金靶材等。
儲存器電極薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材等。
粘附薄膜：鎢靶材，鈦靶材等。
電容器絕緣膜薄膜：鋯鈦酸鉛靶材等。
（2）磁記錄靶材
垂直磁記錄薄膜：鈷鉻合金靶材等。
硬盤用薄膜：鈷鉻鉭合金靶材，鈷鉻鉑合金靶材，鈷鉻鉭鉑合金靶材等。
薄膜磁頭：鈷鉭鉻合金靶材，鈷鉻鋯合金靶材等。
人工晶體薄膜：鈷鉑合金靶材，鈷鈀合金靶材等。
（3）光記錄靶材
相變光盤記錄薄膜：硒化碲靶材，硒化銻靶材，鍺銻碲合金靶材，鍺碲合金靶材等。
磁光盤記錄薄膜：鏑鐵鈷合金靶材，鋱鏑鐵合金靶材，鋱鐵鈷合金靶材，氧化鋁靶材，氧化鎂靶材，氮化硅靶材等。
二、靶材的性能和指標
靶材制約著濺鍍薄膜的物理，力學性能，影響鍍膜質(zhì)量，因而要求靶材的制備應滿足以下要求：
1、純度：要求雜質(zhì)含量低純度高，靶材的純度影響薄膜的均勻性，以純Al靶為例，純度越高，濺射Al膜的耐蝕性及電學、光學性能越好。不過不同用途的靶材對純度要求也不同，一般工業(yè)用靶材純度要求不高，但就半導體、顯示器件等領域用靶材對純度要求是十分嚴格的，磁性薄膜用靶材對純度的要求一般為99.9%以上，ITO中的氧化銦以及氧化錫的純度則要求不低于99.99%。
2、雜質(zhì)含量：靶材作為濺射中的陰極源，固體中的雜質(zhì)和氣孔中的O2和H2O是沉積薄膜的主要污染源，不同用途的靶材對單個雜質(zhì)含量的要求也不同，如：半導體電極布線用的W，Mo，Ti等靶材對U，Th等放射性元素的含量要求低于3*10-9，光盤反射膜用的Al合金靶材則要求O2的含量低于2*10-4。
3、高致密度：為了減少靶材中的氣孔，提高薄膜的性能一般要求靶材具有較高的致密度，靶材的致密度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現(xiàn)象等，還影響濺射薄膜的電學和光學性能。致密性越好，濺射膜粒子的密度越低，放電現(xiàn)象越弱。高致密度靶材具有導電、導熱性好，強度高等優(yōu)點，使用這種靶材鍍膜，濺射功率小，成膜速率高，薄膜不易開裂，靶材的使用壽命長，且濺鍍薄膜的電阻率低，透光率高。靶材的致密度主要取決于制備工藝。一般而言，鑄造靶材的致密度高而燒結(jié)靶材的致密度相對較低，因此提高靶材的致密度是燒結(jié)制備靶材的技術關鍵之一。
4、成分與組織結(jié)構(gòu)均勻，靶材成分均勻是鍍膜質(zhì)量穩(wěn)定的重要保證，尤其是對于復相結(jié)構(gòu)的合金靶材和混合靶材。如ITO，為了保證膜質(zhì)量，要求靶中In2O3-SnO2組成均勻，都為93：7或91：9（分子比）。
5、晶粒尺寸細小，靶材的晶粒尺寸越細小，濺鍍薄膜的厚度分布越均勻，濺射速率越快。
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