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    如何求電場中電勢的高斯定理的具體公式?

    使用高斯定理。

    ∮ D · dS = ∑q 

    D 2πr L = λL , D =  λ / (2π r)

    E = λ / (2π ε0 r) 

    U12 = ∫ (R1, R2) E dr = ∫ (R1, R2) λ / (2π ε0 r) dr

    = λ / (2π ε0 ) * ln(R2/R1) 

    擴(kuò)展資料:

    電場強(qiáng)度在一封閉曲面上的面積分與封閉曲面所包圍的電荷量成正比。

    (當(dāng)所涉體積內(nèi)電荷連續(xù)分布時,上式右端的求和應(yīng)變?yōu)榉e分。)

    表示,電場強(qiáng)度對任意封閉曲面的通量只取決于該封閉曲面內(nèi)電荷的代數(shù)和,與曲面內(nèi)電荷的位置分布情況無關(guān),與封閉曲面外的電荷亦無關(guān)。在真空的情況下,Σq是包圍在封閉曲面內(nèi)的自由電荷的代數(shù)和。當(dāng)存在介質(zhì)時,Σq應(yīng)理解為包圍在封閉曲面內(nèi)的自由電荷和極化電荷的總和。

    參考資料來源:百度百科-高斯定理



    怎樣用高斯公式求電場強(qiáng)度的計算值
    板子外 如圖(左) 取高斯面,由高斯定理 2ES=ρDS\/ε0 所以 E=ρD\/2ε0 (r>D\/2 , r<-D\/2)板子內(nèi) 如圖(右)由高斯定理 2ES= ρ2rS\/ε0 所以 E= ρr\/ε0 (-D\/2 < r <D\/2)

    電場強(qiáng)度公式
    板子外 如圖(左)取高斯面,由高斯定理 2ES=ρDS\/ε0 所以 E=ρD\/2ε0 (r>D\/2 ,r<-D\/2)板子內(nèi) 如圖(右)由高斯定理 2ES= ρ2rS\/ε0 所以 E= ρr\/ε0 (-D\/2 < r

    高中物理電場公式
    均勻帶電球殼(半徑為R):E=kq\/r^2(r〉R或r=R),E=0(r<R)(r為距球心距離)均勻帶電球體(半徑為R):E=kq\/r^2(r〉R或r=R),E=kqr\/R^3(r<R)勻強(qiáng)電場:u=Ed 任何電場:電勢差為場強(qiáng)在場強(qiáng)方向上的線積分,或場強(qiáng)大小等于電勢對距離求導(dǎo)。任何電場(高斯定理)(附圖...

    大學(xué)物理,高斯定理求電場強(qiáng)度的詳細(xì)步驟
    此方法還可以拓展為利用已知帶電體的電場,求更大帶電體的電場.如把無限大的面狀帶電體分割成許多無限長的線狀帶電體,由無限長的線狀帶電體的場強(qiáng)積分求該帶電平面的場強(qiáng)。2.對具有對稱性的物體,用高斯定理求場強(qiáng)。3.在已知電勢時,利用電勢梯度求場強(qiáng)。4.對多個點電荷(即點電荷系),利用...

    大學(xué)物理電勢問題
    第一步是根據(jù)高斯定理求出球內(nèi)到球外各個區(qū)域的電場。當(dāng)r<R時,(r指高斯面的半徑)意味著高斯面小于球面,所以只包圍了球面中心的點電荷q,其它的電荷沒有被包圍。求電勢是根據(jù)電勢的定義來求的:即電場中某點的電勢等于從這一點到無窮遠(yuǎn)處電場的線積分。由于此問題中電場強(qiáng)度是分段連續(xù)的,所以要...

    高斯定理怎么用,舉個例題最好
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    新年好,春節(jié)快樂!Happy Chinese New Year !本題的解答方法是:1、運(yùn)用高斯定理,分別計算出從里到外的電場強(qiáng)度分布;2、然后運(yùn)用點乘的方法,積分至無窮遠(yuǎn),就能得到答案。具體解答如下,若點擊放大,圖片更加清晰。若有疑問,歡迎追問。

    場強(qiáng)公式是什么?
    R2)計算解析:做一個半徑為r高度為h的同軸圓柱面為高斯曲面,對于r<R1(小圓柱面內(nèi)部)和r≥R2(大圓柱面上以及外部),高斯面包圍的凈電荷為零,所以這兩個區(qū)域場強(qiáng)處處為零;對于R1Sr<R2(2圓柱面之間的區(qū)域),高斯面包圍的凈電荷為q=λh,高斯面面積為 S=2πrh,根據(jù)高斯定理:...

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