關(guān)于內(nèi)存超頻的問題，高手進(jìn)！ 高分！！問個(gè)比較偏門的問題，AMD內(nèi)存超頻高手請(qǐng)進(jìn)，關(guān)于內(nèi)存...
LZ先建議一下幾點(diǎn)
1、那些數(shù)字是內(nèi)存的時(shí)序，專業(yè)點(diǎn)叫Memory Timing。這些東西是根據(jù)不同頻率和大小的內(nèi)存這些Timing都會(huì)不同。如果您嘗試超頻的話這些東西是會(huì)調(diào)整到的。就超頻來說這些數(shù)字不應(yīng)該越小越好，理論上是數(shù)字越大超頻性越好。太專業(yè)您可能不明白，舉例來說吧，800的內(nèi)存和667內(nèi)存這些數(shù)字肯定不同，而且800的內(nèi)存數(shù)字打，667的數(shù)字小。您可以比較下。
2、這些內(nèi)存時(shí)序在一般的主板BIOS里面都有調(diào)整的地方。但是也會(huì)有一些很爛的板子沒有這些東西。如果有的話一般再advance configeration-》Northbriage里面應(yīng)該有，也有可能放在超頻的選項(xiàng)里面。
3、這些參數(shù)其實(shí)是內(nèi)存的數(shù)字電路中不同命令與數(shù)據(jù)、命令與命令之間相互觸發(fā)的延時(shí)。從技術(shù)上來說調(diào)整這些參數(shù)對(duì)內(nèi)存硬件本身來說不會(huì)有損傷。但是如果超頻很高的情況下，又沒有很好的散熱系統(tǒng)，那么內(nèi)存可能會(huì)壞掉。不過LZ可以放心，我超頻過N多組內(nèi)存了，還沒有哪個(gè)說燒壞的。總的來說調(diào)整這些數(shù)據(jù)不會(huì)損壞內(nèi)存硬件，但是會(huì)造成無法開機(jī)的情況，而且確切的說是肯定會(huì)。沒關(guān)系，只要清下CMOS就好了，清CMOS的動(dòng)作會(huì)把之前默認(rèn)的參數(shù)全部放回去的。
4、內(nèi)存超壓也是BIOS里面會(huì)有選項(xiàng)的，一般名字叫做Memory Voltage之類的。因?yàn)槌瑝旱膭?dòng)作必要要有硬件的配合，畢竟是物理上的動(dòng)作。還是那句話：警告！對(duì)內(nèi)存超壓有可能會(huì)損壞內(nèi)存的硬件，慎用！
以上3點(diǎn)不知道LZ明白了多少，如有問題的話QQ：148116115
內(nèi)存時(shí)序設(shè)置
內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置正確與否，將極大地影響系統(tǒng)的整體性能。下面我們將針對(duì)內(nèi)存關(guān)于時(shí)序設(shè)置參數(shù)逐一解釋，以求能讓大家在內(nèi)存參數(shù)設(shè)置中能有清晰的思路，提高電腦系統(tǒng)的性能。
涉及到的參數(shù)分別為：
CPC : Command Per Clock
tCL : CAS Latency Control
tRCD : RAS to CAS Delay
tRAS : Min RAS Active Timing
tRP : Row Precharge Timing
tRC : Row Cycle Time
tRFC : Row Refresh Cycle Time
tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
tWR : Write Recovery Time
……及其他參數(shù)的設(shè)置
CPC : Command Per Clock
可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號(hào)進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。
顯然，CPC越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)。
該參數(shù)的默認(rèn)值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。
tCL : CAS Latency Control(tCL)
可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)3就是第1個(gè)參數(shù)，即CL參數(shù)。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。CL值為2為會(huì)獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設(shè)為3。
tRCD : RAS to CAS Delay
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù)，即第1個(gè)4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時(shí)，系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。
如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。
tRAS : Min RAS Active Timing
可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù)，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－10之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù)，即第2個(gè)4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。tRP參數(shù)設(shè)置太長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致所有的行激活延遲過長(zhǎng)，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對(duì)大多數(shù)內(nèi)存都是個(gè)很高的要求，可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。對(duì)于桌面計(jì)算機(jī)來說，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。
一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時(shí)獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。
tRC : Row Cycle Time(tRC)
可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時(shí)間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個(gè)過程所需要的最小的時(shí)鐘周期數(shù)。其計(jì)算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時(shí)間過長(zhǎng)，會(huì)因在完成整個(gè)時(shí)鐘周期后激活新的地址而等待無謂的延時(shí)，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。
因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個(gè)時(shí)鐘周期，而tRP的值為4個(gè)時(shí)鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個(gè)時(shí)鐘周期。
Cell Menu--Advance DRAM Configuration回車，選擇Enabled，會(huì)有內(nèi)存時(shí)序的6個(gè)選項(xiàng)（或是8個(gè)），前4個(gè)設(shè)置為4-4-4-12即可。
不過，如果你的內(nèi)存是運(yùn)行在800MHz的頻率下，建議你選擇5-5-5-15，4-4-4-12即使能正常啟動(dòng)，也運(yùn)行不了多久的（半年？）。你這個(gè)內(nèi)存條不會(huì)好于金邦的黑龍條的，我的黑龍條在4-4-4-12時(shí)序運(yùn)行半年后就會(huì)經(jīng)常死機(jī)，只能運(yùn)行在標(biāo)準(zhǔn)的5-5-5-15時(shí)序下。
如果你降低內(nèi)存頻率，如667MHz，運(yùn)行4-4-4-12時(shí)序可能會(huì)好些的。
我是P35 Neo3-F，應(yīng)該和你的P43一樣的BIOS。
http://bbs.ocer.net/attachments/ext_jpg/20080131_4509434760ef0923a0fcRAp1gt158sVY.jpg
其實(shí)超頻的定義是泛指各種電腦周邊的工作速度超過或是降低廠商設(shè)定的預(yù)設(shè)值的意思，并非單獨(dú)指CPU運(yùn)算速度而言。其實(shí)CPU的超頻，只是超頻過程中的一個(gè)主要小步驟而已，如果更改CPU的設(shè)定，其他的設(shè)定沒有更改，電腦會(huì)不穩(wěn)定，只有其他硬件配合更改，電腦才會(huì)穩(wěn)定。內(nèi)存對(duì)超頻起著相當(dāng)重要的作用，想要系統(tǒng)工作在100MHZ的外頻以上，內(nèi)存必須要符合PC100或PC133標(biāo)準(zhǔn)的高質(zhì)量?jī)?nèi)存條，注意電路板是6層還是8層，另外還要注意內(nèi)存條上是否有SPD EEPROM，因?yàn)橛兴l使用的成功率才較高，單純改內(nèi)存的超頻是設(shè)置BIOS中內(nèi)存的相關(guān)參數(shù)，最重要的一項(xiàng)是，所謂內(nèi)存的延長(zhǎng)時(shí)間，即內(nèi)存的CL參數(shù)，內(nèi)存的工作速度和總線頻率是一樣的，現(xiàn)在有很多的主版可以調(diào)，如果在BIOS設(shè)置中有HOST-CLOCK（總線頻率同步）HCLK-33MHZ（總線頻率減33MHZ）HCLK+33MHZ（總線頻率加33MHZ）等選項(xiàng)的可以調(diào)。如果調(diào)不好的話，會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存不穩(wěn)定的故障。嚴(yán)重的會(huì)出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定。
4-4-4-12的時(shí)序?qū)DR2來講很高了，要加壓，而且還要視顆粒情況而定，并不是每根內(nèi)存都很能超的，要調(diào)整內(nèi)存參數(shù)一種是進(jìn)BIOS，把內(nèi)存的各項(xiàng)Delay一點(diǎn)一點(diǎn)調(diào)，另一種是用工具刷內(nèi)存的SPD，不過這兩種都有風(fēng)險(xiǎn)，要是你內(nèi)存體質(zhì)不行的話最壞的結(jié)果就是燒.....至于加壓調(diào)參數(shù)這些都在主板BIOS里，你自己找找吧
老版13895308789： 超頻高手請(qǐng)進(jìn)
三穗縣法面： ______ 你應(yīng)該同時(shí)貼出你主板的品牌與型號(hào) 還有內(nèi)存 顯卡的相關(guān)信息才好回答哦.我的超頻經(jīng)驗(yàn)不多.先嘗試解答下吧.你超的外頻倍頻你設(shè)的是多少?倍頻*外頻 的結(jié)果是不是過高了.另外,你超頻開始的時(shí)候 要把內(nèi)存的頻率比值設(shè)為1:1.00 摸索...
老版13895308789： 電腦超頻高手進(jìn)
三穗縣法面： ______ 好處:這個(gè)簡(jiǎn)單,顯卡超頻之后游戲速度快,內(nèi)存超頻之后內(nèi)存更快,并且也為超CPU的外頻留足了頻率(不異步性能最高)壞處:發(fā)熱量增大,系統(tǒng)可能不穩(wěn)定,耗電多,壽命會(huì)縮短.
老版13895308789： 關(guān)于超頻!高手進(jìn)! -
三穗縣法面： ______ 樓主 2.2是最保守的超頻 應(yīng)該沒有問題 你只要在使用半小時(shí)或1小時(shí)左右后 進(jìn)BIOS注意下CPU的溫度 只要不超過80多度以上就沒什么大問題,也可找個(gè)軟件在系統(tǒng)下監(jiān)控 只要系統(tǒng)穩(wěn)定使用不當(dāng)機(jī)就行,不會(huì)影響內(nèi)存,512DDR老一代的內(nèi)存工...
老版13895308789： 我的內(nèi)存要如何超頻.超頻后是否穩(wěn)定? -
三穗縣法面： ______ 對(duì)于內(nèi)存超頻而言,根據(jù)不同主板,可以采用不同的超頻方案,同時(shí)內(nèi)存超頻又與CPU有著直接或間接的關(guān)系,一般來說,內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種:一是內(nèi)存同步,即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作;二是內(nèi)存異步,即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻.
老版13895308789： 關(guān)于cpu、內(nèi)存超頻問題
三穗縣法面： ______ 這個(gè)不用擔(dān)心nbsp;了只要保證超頻時(shí)散熱,電源供電夠就行了還有CPU別加電壓內(nèi)存最關(guān)鍵別加電壓,因?yàn)榧与妷簝?nèi)存就會(huì)燒壞的
老版13895308789： 內(nèi)存超頻的詳細(xì)步驟?? -
三穗縣法面： ______ 這里是關(guān)于BIOS所有的詳細(xì)設(shè)置: http://tsyy.sina.net/bios/bios.htm 超頻就是超過原來的頻率 電腦超頻,打個(gè)比方就是我們?cè)谂懿降臅r(shí)候,如以5米/S的速度跑,但過了一會(huì)兒,你想跑快點(diǎn)跑完路線,這時(shí)你就要進(jìn)行加速跑,這時(shí)你的速度就調(diào)...
老版13895308789： 求教高手:對(duì)CPU.內(nèi)存,顯卡怎樣進(jìn)行超頻啊
三穗縣法面： ______ 軟超比較危險(xiǎn),硬超就是在BIOS中設(shè)置調(diào)節(jié)電壓提高外頻慢慢超上去,如能正常進(jìn)入系統(tǒng)然后跑MARK05或者跑3200萬來測(cè)試穩(wěn)定
老版13895308789： 內(nèi)存如何超頻
三穗縣法面： ______ 內(nèi)存超頻可以通過修改BIOS中的內(nèi)存工作頻率來達(dá)到超頻目的,或者使用spdtool來修改內(nèi)存工作周期也可以達(dá)到超頻內(nèi)存的目的,spd下載地址: http://www.cngr.cn/dir/softdown.asp?softid=23775 樓主先到 http://itbbs.pconline.com.cn/diy/7755856.html看看怎么操作. kingstone內(nèi)存確實(shí)不錯(cuò),就是假的太多了,我一根ddr533的內(nèi)存用spd修改到ddr800和我的威剛紅龍800+雙通成功,(真佩服自己^_^)祝樓主好運(yùn)哦.
老版13895308789： 用高頻內(nèi)存進(jìn)退兩難~求高手解答~
三穗縣法面： ______ 這個(gè)你可以超頻啊,這個(gè)處理器的后綴有個(gè)k,那么你可以超頻到2400甚至更高啊
老版13895308789： 內(nèi)存超頻的問題!
三穗縣法面： ______ 配置非常高端啊.主板提供6條內(nèi)存插槽,支持三通道DDR3 2000(超頻)/1800(超頻)/1600(超頻)/1333/1066MHz內(nèi)存.你看看主板說明書,然后看一下截圖中對(duì)超頻的簡(jiǎn)單說明.截圖主板底端中間那個(gè)紅色的鈕的一排有5個(gè)調(diào)節(jié)裝置,可以不進(jìn)入主板BIOS超頻的. 華碩玩家國度2 X58 主板,默認(rèn)內(nèi)存頻率最高是1333MHz的,既然你安裝了1600MHz內(nèi)存,就需要進(jìn)BIOS設(shè)置超頻到1600MHz.當(dāng)然主板已經(jīng)提供了超頻裝置,可以不進(jìn)BIOS調(diào)整的.
1、那些數(shù)字是內(nèi)存的時(shí)序，專業(yè)點(diǎn)叫Memory Timing。這些東西是根據(jù)不同頻率和大小的內(nèi)存這些Timing都會(huì)不同。如果您嘗試超頻的話這些東西是會(huì)調(diào)整到的。就超頻來說這些數(shù)字不應(yīng)該越小越好，理論上是數(shù)字越大超頻性越好。太專業(yè)您可能不明白，舉例來說吧，800的內(nèi)存和667內(nèi)存這些數(shù)字肯定不同，而且800的內(nèi)存數(shù)字打，667的數(shù)字小。您可以比較下。
2、這些內(nèi)存時(shí)序在一般的主板BIOS里面都有調(diào)整的地方。但是也會(huì)有一些很爛的板子沒有這些東西。如果有的話一般再advance configeration-》Northbriage里面應(yīng)該有，也有可能放在超頻的選項(xiàng)里面。
3、這些參數(shù)其實(shí)是內(nèi)存的數(shù)字電路中不同命令與數(shù)據(jù)、命令與命令之間相互觸發(fā)的延時(shí)。從技術(shù)上來說調(diào)整這些參數(shù)對(duì)內(nèi)存硬件本身來說不會(huì)有損傷。但是如果超頻很高的情況下，又沒有很好的散熱系統(tǒng)，那么內(nèi)存可能會(huì)壞掉。不過LZ可以放心，我超頻過N多組內(nèi)存了，還沒有哪個(gè)說燒壞的。總的來說調(diào)整這些數(shù)據(jù)不會(huì)損壞內(nèi)存硬件，但是會(huì)造成無法開機(jī)的情況，而且確切的說是肯定會(huì)。沒關(guān)系，只要清下CMOS就好了，清CMOS的動(dòng)作會(huì)把之前默認(rèn)的參數(shù)全部放回去的。
4、內(nèi)存超壓也是BIOS里面會(huì)有選項(xiàng)的，一般名字叫做Memory Voltage之類的。因?yàn)槌瑝旱膭?dòng)作必要要有硬件的配合，畢竟是物理上的動(dòng)作。還是那句話：警告！對(duì)內(nèi)存超壓有可能會(huì)損壞內(nèi)存的硬件，慎用！
以上3點(diǎn)不知道LZ明白了多少，如有問題的話QQ：148116115
內(nèi)存時(shí)序設(shè)置
內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置正確與否，將極大地影響系統(tǒng)的整體性能。下面我們將針對(duì)內(nèi)存關(guān)于時(shí)序設(shè)置參數(shù)逐一解釋，以求能讓大家在內(nèi)存參數(shù)設(shè)置中能有清晰的思路，提高電腦系統(tǒng)的性能。
涉及到的參數(shù)分別為：
CPC : Command Per Clock
tCL : CAS Latency Control
tRCD : RAS to CAS Delay
tRAS : Min RAS Active Timing
tRP : Row Precharge Timing
tRC : Row Cycle Time
tRFC : Row Refresh Cycle Time
tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
tWR : Write Recovery Time
……及其他參數(shù)的設(shè)置
CPC : Command Per Clock
可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號(hào)進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。
顯然，CPC越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)。
該參數(shù)的默認(rèn)值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。
tCL : CAS Latency Control(tCL)
可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)3就是第1個(gè)參數(shù)，即CL參數(shù)。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。CL值為2為會(huì)獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設(shè)為3。
tRCD : RAS to CAS Delay
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù)，即第1個(gè)4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時(shí)，系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。
如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。
tRAS : Min RAS Active Timing
可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù)，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－10之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù)，即第2個(gè)4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。tRP參數(shù)設(shè)置太長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致所有的行激活延遲過長(zhǎng)，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對(duì)大多數(shù)內(nèi)存都是個(gè)很高的要求，可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。對(duì)于桌面計(jì)算機(jī)來說，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。
一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時(shí)獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。
tRC : Row Cycle Time(tRC)
可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時(shí)間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個(gè)過程所需要的最小的時(shí)鐘周期數(shù)。其計(jì)算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時(shí)間過長(zhǎng)，會(huì)因在完成整個(gè)時(shí)鐘周期后激活新的地址而等待無謂的延時(shí)，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。
因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個(gè)時(shí)鐘周期，而tRP的值為4個(gè)時(shí)鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個(gè)時(shí)鐘周期。
Cell Menu--Advance DRAM Configuration回車，選擇Enabled，會(huì)有內(nèi)存時(shí)序的6個(gè)選項(xiàng)（或是8個(gè)），前4個(gè)設(shè)置為4-4-4-12即可。
不過，如果你的內(nèi)存是運(yùn)行在800MHz的頻率下，建議你選擇5-5-5-15，4-4-4-12即使能正常啟動(dòng)，也運(yùn)行不了多久的（半年？）。你這個(gè)內(nèi)存條不會(huì)好于金邦的黑龍條的，我的黑龍條在4-4-4-12時(shí)序運(yùn)行半年后就會(huì)經(jīng)常死機(jī)，只能運(yùn)行在標(biāo)準(zhǔn)的5-5-5-15時(shí)序下。
如果你降低內(nèi)存頻率，如667MHz，運(yùn)行4-4-4-12時(shí)序可能會(huì)好些的。
我是P35 Neo3-F，應(yīng)該和你的P43一樣的BIOS。
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其實(shí)超頻的定義是泛指各種電腦周邊的工作速度超過或是降低廠商設(shè)定的預(yù)設(shè)值的意思，并非單獨(dú)指CPU運(yùn)算速度而言。其實(shí)CPU的超頻，只是超頻過程中的一個(gè)主要小步驟而已，如果更改CPU的設(shè)定，其他的設(shè)定沒有更改，電腦會(huì)不穩(wěn)定，只有其他硬件配合更改，電腦才會(huì)穩(wěn)定。內(nèi)存對(duì)超頻起著相當(dāng)重要的作用，想要系統(tǒng)工作在100MHZ的外頻以上，內(nèi)存必須要符合PC100或PC133標(biāo)準(zhǔn)的高質(zhì)量?jī)?nèi)存條，注意電路板是6層還是8層，另外還要注意內(nèi)存條上是否有SPD EEPROM，因?yàn)橛兴l使用的成功率才較高，單純改內(nèi)存的超頻是設(shè)置BIOS中內(nèi)存的相關(guān)參數(shù)，最重要的一項(xiàng)是，所謂內(nèi)存的延長(zhǎng)時(shí)間，即內(nèi)存的CL參數(shù)，內(nèi)存的工作速度和總線頻率是一樣的，現(xiàn)在有很多的主版可以調(diào)，如果在BIOS設(shè)置中有HOST-CLOCK（總線頻率同步）HCLK-33MHZ（總線頻率減33MHZ）HCLK+33MHZ（總線頻率加33MHZ）等選項(xiàng)的可以調(diào)。如果調(diào)不好的話，會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存不穩(wěn)定的故障。嚴(yán)重的會(huì)出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定。
4-4-4-12的時(shí)序?qū)DR2來講很高了，要加壓，而且還要視顆粒情況而定，并不是每根內(nèi)存都很能超的，要調(diào)整內(nèi)存參數(shù)一種是進(jìn)BIOS，把內(nèi)存的各項(xiàng)Delay一點(diǎn)一點(diǎn)調(diào)，另一種是用工具刷內(nèi)存的SPD，不過這兩種都有風(fēng)險(xiǎn)，要是你內(nèi)存體質(zhì)不行的話最壞的結(jié)果就是燒.....至于加壓調(diào)參數(shù)這些都在主板BIOS里，你自己找找吧
關(guān)于內(nèi)存頻率與CPU外頻高手進(jìn)!
對(duì)于追求超頻的玩家而言，調(diào)整內(nèi)存頻率以匹配外頻是一個(gè)值得考慮的選擇。在CPU外頻為200MHz的情況下，若希望將333MHz內(nèi)存超頻至更高速度，建議將其超頻至外頻的兩倍，即400MHz，以達(dá)到更好的性能表現(xiàn)。若CPU外頻低于內(nèi)存頻率，此時(shí)僅支持內(nèi)存的最低頻率，即333MHz。總結(jié)而言，合理調(diào)整內(nèi)存與CPU外頻的匹配...
超頻 內(nèi)存電壓升高 高手進(jìn)!!!
你的內(nèi)存體質(zhì)不好，想超頻內(nèi)存首先要異步，電壓2.1V 還是在DDR2正常工作電壓以內(nèi)。給你算一下：外頻默認(rèn)200 超到230，內(nèi)存頻率就是（667\/200）*230=767，威剛的內(nèi)存就是紅色威龍才有可能達(dá)到，其他基本扛不住。
滿分需求電腦超頻高手,以解決我的超頻疑問
通過增大"前端內(nèi)存"來超頻，這樣超頻是沒有錯(cuò)的。CPU的外頻很好理解，就是在BIOS里可以設(shè)定的。內(nèi)存的外頻不是算出來的。而是根據(jù)主板BIOS里設(shè)定的，或者主板自動(dòng)選定的"前端：內(nèi)存"來定的。一代內(nèi)存的速龍，內(nèi)存400，BIOS里顯示即時(shí)頻率200即是內(nèi)存外頻200，前端總線800，你外頻超到295，前端總線1180，...
內(nèi)存超頻后老死機(jī),請(qǐng)教一下高手應(yīng)如何解決
一根內(nèi)存的spd值是333，一根是266 當(dāng)你分別用的時(shí)候，主板上內(nèi)存的參數(shù)是by spd，所以一個(gè)是333，一個(gè)是266，當(dāng)你一起用的時(shí)候，參數(shù)不同的兩條內(nèi)存自動(dòng)降到較低的那條內(nèi)存的頻率上。你設(shè)為166，實(shí)際就是把內(nèi)存頻率強(qiáng)制設(shè)為333，這時(shí)候，原來參數(shù)是333的那根可以正常運(yùn)行，但266的那根就吃不消...
Q9400超頻和內(nèi)存超頻方法!向高手請(qǐng)教!
超頻不需要軟件，進(jìn)BIOS直接把CPU外頻調(diào)到400MHz，其他的什么都不用動(dòng)。Q9400的默認(rèn)外頻是333，調(diào)到400只能算是小的不能再小的超頻，其他的什么都不用調(diào)，不用加電壓。加電壓是極限超頻，加電壓會(huì)增加CPU的功耗和發(fā)熱量，加快“電子遷移”，導(dǎo)致CPU壽命縮短。電腦的超頻就是通過計(jì)算機(jī)操作者的超頻方式將...
內(nèi)存超頻
分類: 電腦\/網(wǎng)絡(luò) >> 硬件 問題描述:主版 七彩虹865PE2.0內(nèi)存 2個(gè)DDR400 256M的處理器 塞揚(yáng) 2.93的外頻133現(xiàn)在就是不能激活雙通道 內(nèi)存只能使用到DDR333顯卡七彩虹 風(fēng)行5200的高手幫忙下如何讓機(jī)器跑的更快一些CPU我超頻到166還是不能把內(nèi)存使用到400去(CPU超200不能用)請(qǐng)高手幫忙解決下順便問下...
E2140+P45超頻,設(shè)置的問題,高手進(jìn)
先在默認(rèn)下超，不要加電壓。把外頻提高到333M應(yīng)該可以。FSB和Memory Ratio設(shè)置為1：1，就是內(nèi)存分頻比例。還有把PCI設(shè)備和PCI-E設(shè)備分別鎖定為33M和100M，默認(rèn)選項(xiàng)應(yīng)該是Auto。
內(nèi)存超頻有什么壞處
3. 增加功耗和發(fā)熱：超頻工作時(shí)，內(nèi)存會(huì)消耗更多的電能，并產(chǎn)生更多的熱量。這可能導(dǎo)致系統(tǒng)整體溫度升高，加速硬件老化，甚至引發(fā)散熱問題。4. 兼容性挑戰(zhàn)：超頻可能導(dǎo)致內(nèi)存與主板或其他硬件組件之間的兼容性問題。不同的硬件對(duì)超頻的響應(yīng)不同，超頻可能導(dǎo)致系統(tǒng)性能下降或出現(xiàn)異常表現(xiàn)。內(nèi)存超頻雖然可以提升...
DDR5內(nèi)存超頻指南解鎖性能極限的關(guān)鍵步驟與技巧
一：了解DDR5內(nèi)存超頻的意義與挑戰(zhàn) DDR5內(nèi)存超頻不僅能夠提升計(jì)算機(jī)整體性能，還可以滿足一些高性能應(yīng)用的需求。然而，DDR5內(nèi)存超頻也面臨著一些挑戰(zhàn)，如電壓管理、散熱問題等。二：選擇適合的DDR5內(nèi)存條 在進(jìn)行DDR5內(nèi)存超頻之前，選擇適合的內(nèi)存條至關(guān)重要。不同品牌、型號(hào)的DDR5內(nèi)存條具有不同的超頻潛力，...
內(nèi)存超頻問題
我的是E3 1230 V2 + 技嘉B75 + 金士頓 駭客神條 8G（雙條）你可以參考一下。進(jìn)入BIOS設(shè)置，修改一下中文便于操作吧。紅色顯示了內(nèi)存運(yùn)行的頻率，默認(rèn)還是1333。在綠色的箭頭（選項(xiàng)）回車進(jìn)入。依然是第一項(xiàng)，把X M P選項(xiàng)打開。中文界面對(duì)照 只要你把X.M.P.選項(xiàng)打開，保存BIOS（快捷鍵是F10）即可...
相關(guān)評(píng)說：
三穗縣法面： ______ 你應(yīng)該同時(shí)貼出你主板的品牌與型號(hào) 還有內(nèi)存 顯卡的相關(guān)信息才好回答哦.我的超頻經(jīng)驗(yàn)不多.先嘗試解答下吧.你超的外頻倍頻你設(shè)的是多少?倍頻*外頻 的結(jié)果是不是過高了.另外,你超頻開始的時(shí)候 要把內(nèi)存的頻率比值設(shè)為1:1.00 摸索...
三穗縣法面： ______ 好處:這個(gè)簡(jiǎn)單,顯卡超頻之后游戲速度快,內(nèi)存超頻之后內(nèi)存更快,并且也為超CPU的外頻留足了頻率(不異步性能最高)壞處:發(fā)熱量增大,系統(tǒng)可能不穩(wěn)定,耗電多,壽命會(huì)縮短.
三穗縣法面： ______ 樓主 2.2是最保守的超頻 應(yīng)該沒有問題 你只要在使用半小時(shí)或1小時(shí)左右后 進(jìn)BIOS注意下CPU的溫度 只要不超過80多度以上就沒什么大問題,也可找個(gè)軟件在系統(tǒng)下監(jiān)控 只要系統(tǒng)穩(wěn)定使用不當(dāng)機(jī)就行,不會(huì)影響內(nèi)存,512DDR老一代的內(nèi)存工...
三穗縣法面： ______ 對(duì)于內(nèi)存超頻而言,根據(jù)不同主板,可以采用不同的超頻方案,同時(shí)內(nèi)存超頻又與CPU有著直接或間接的關(guān)系,一般來說,內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種:一是內(nèi)存同步,即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作;二是內(nèi)存異步,即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻.
三穗縣法面： ______ 這個(gè)不用擔(dān)心nbsp;了只要保證超頻時(shí)散熱,電源供電夠就行了還有CPU別加電壓內(nèi)存最關(guān)鍵別加電壓,因?yàn)榧与妷簝?nèi)存就會(huì)燒壞的
三穗縣法面： ______ 這里是關(guān)于BIOS所有的詳細(xì)設(shè)置: http://tsyy.sina.net/bios/bios.htm 超頻就是超過原來的頻率 電腦超頻,打個(gè)比方就是我們?cè)谂懿降臅r(shí)候,如以5米/S的速度跑,但過了一會(huì)兒,你想跑快點(diǎn)跑完路線,這時(shí)你就要進(jìn)行加速跑,這時(shí)你的速度就調(diào)...
三穗縣法面： ______ 軟超比較危險(xiǎn),硬超就是在BIOS中設(shè)置調(diào)節(jié)電壓提高外頻慢慢超上去,如能正常進(jìn)入系統(tǒng)然后跑MARK05或者跑3200萬來測(cè)試穩(wěn)定
三穗縣法面： ______ 內(nèi)存超頻可以通過修改BIOS中的內(nèi)存工作頻率來達(dá)到超頻目的,或者使用spdtool來修改內(nèi)存工作周期也可以達(dá)到超頻內(nèi)存的目的,spd下載地址: http://www.cngr.cn/dir/softdown.asp?softid=23775 樓主先到 http://itbbs.pconline.com.cn/diy/7755856.html看看怎么操作. kingstone內(nèi)存確實(shí)不錯(cuò),就是假的太多了,我一根ddr533的內(nèi)存用spd修改到ddr800和我的威剛紅龍800+雙通成功,(真佩服自己^_^)祝樓主好運(yùn)哦.
三穗縣法面： ______ 這個(gè)你可以超頻啊,這個(gè)處理器的后綴有個(gè)k,那么你可以超頻到2400甚至更高啊
三穗縣法面： ______ 配置非常高端啊.主板提供6條內(nèi)存插槽,支持三通道DDR3 2000(超頻)/1800(超頻)/1600(超頻)/1333/1066MHz內(nèi)存.你看看主板說明書,然后看一下截圖中對(duì)超頻的簡(jiǎn)單說明.截圖主板底端中間那個(gè)紅色的鈕的一排有5個(gè)調(diào)節(jié)裝置,可以不進(jìn)入主板BIOS超頻的. 華碩玩家國度2 X58 主板,默認(rèn)內(nèi)存頻率最高是1333MHz的,既然你安裝了1600MHz內(nèi)存,就需要進(jìn)BIOS設(shè)置超頻到1600MHz.當(dāng)然主板已經(jīng)提供了超頻裝置,可以不進(jìn)BIOS調(diào)整的.
